一、芯片濕法清洗設(shè)備如何調(diào)試？

硫酸煮沸，無水乙醇寖泡，丙酮寖泡，清水噴淋，甩干.加溫軌道烘干。調(diào)轉(zhuǎn)速和時間和溫度。

二、管道清洗設(shè)備的方法？

1.長期使用管道使管道內(nèi)的油泥、銹垢固化造成管徑變小。

2.管內(nèi)淤泥沉淀產(chǎn)生硫化氫氣體造成環(huán)境污染并易引起燃爆。

3.廢水中的酸、堿物質(zhì)易對管道壁產(chǎn)生腐蝕。

4.管道內(nèi)的異物將會造成管道堵塞。

5.管道原材料鋼管、鋼板、不銹鋼等在軋制時會形成軋皮，管道儲運及安裝過程中會形成鐵銹、焊渣和涂覆在管道上的油質(zhì)防銹劑，保溫材料等雜質(zhì)。上述雜質(zhì)嚴(yán)重影響管道的正常使用，因此對進行管道清洗，使管道內(nèi)恢復(fù)材質(zhì)本身表面十分重要。管道清洗后會在干凈的金屬表面形成一層致密的化學(xué)鈍化膜，鈍化膜可以有效的防止污垢的再次產(chǎn)生有效的對設(shè)備進行保護，保證設(shè)備的安全性和延長設(shè)備的使用壽命

三、半導(dǎo)體清洗設(shè)備全球排名？

全球清洗設(shè)備市場中，日系企業(yè)占據(jù)絕對的主導(dǎo)地位，迪恩士（DNS，SCREENSemiconductorSolutionsCo.,Ltd.）市場份額大約為60%、東京電子（TokyoElectron）大約為30%，其他企業(yè)如美國LamResearch、韓國SEMES和KCTECH等，后二者主要供給韓國市場。

四、什么是濕法設(shè)備？

濕法設(shè)備簡單來說，指芯片制造環(huán)節(jié)大概可以分為晶圓制造、曝光、刻蝕、清洗，濕法設(shè)備主要負(fù)責(zé)的就是“清洗”。

濕法制粒機用以將潮濕的粉料研制成所需的顆粒，也可將塊狀的干料粉碎到所需的顆粒。主要特點是篩網(wǎng)裝拆簡易，還可適當(dāng)調(diào)節(jié)松緊。

五、pfa管道與閥門的幾種連接方式？

告訴我焊接方式時是什么類型的閥門方可？螺紋連接閥門必須在關(guān)閉狀態(tài) 道理很簡單，如不關(guān)閉在連接管道時力度掌握不夠容易伸進閥體內(nèi)部，導(dǎo)致閥門無法關(guān)閉到位。

六、怎樣清洗純凈水設(shè)備的管道？

可以按照《給水排水管道工程施工與驗收規(guī)范》里面的做法，其中對于給水管道，需要試壓，然后需要用含有消毒劑的水浸泡24小時，再就是用清水沖洗，知道沖出來的水里面沒有消毒劑成分，那就是沖洗干凈了。

七、純化水設(shè)備管道有哪些清洗方法？

純化水管道的清洗方法主要還是以氫氧化鈉配合純化水沖洗為主，也有的用弱酸弱堿來清洗。

八、干法清洗和濕法的區(qū)別？

(1)工藝不同

濕法化學(xué)清洗時間和化學(xué)溶劑對工藝靈敏，干法清洗工藝過程更容易控制。

(2)清洗次數(shù)及殘留不同

去除油污及氧化物等工藝時，濕法化學(xué)清洗需要進一步去除及處理或需要多次清洗，而干法清洗只要一次，基本無殘留物。

(3)對環(huán)境造成影響不同

濕法化學(xué)清洗后大量的廢物還要需要進一步處理，這樣也耗費更多的時間和人力，但是干法清洗反應(yīng)副產(chǎn)物為氣體，在通過真空系統(tǒng)及中和器可直接排放到大氣中。

(4)毒性不同

混法化學(xué)清洗溶劑和酸有相當(dāng)高的毒性，而干潔清洗反應(yīng)所需氣體大多無毒，也不會對身體產(chǎn)生危害。

九、小麥清洗干法和濕法啥區(qū)別？

小麥清理就是利用小麥與雜質(zhì)的外形特征、結(jié)構(gòu)特性、物理性質(zhì)等差異，采用響應(yīng)的清理設(shè)備，最大限度的從小麥中將雜質(zhì)分開，通過清理使黏附在自身表面和腹溝內(nèi)的雜質(zhì)以及外果皮和麥毛清理干凈，并在清理的同時，進行水分調(diào)節(jié)，使小麥的結(jié)構(gòu)力學(xué)特性改變，保證各項指標(biāo)達到入磨凈麥的要求。

　　小麥清理方法有干法和濕法兩種。干法清理是采用著水機著水，用水量較少，無排放水，清理工序較完善，適用于大型廠采用；濕法清理是采用洗麥機著水，用水量較大，有廢水排放，適用與中小型廠，清理流程較簡單的工藝

十、半導(dǎo)體設(shè)備說明？

1、?單晶爐

單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設(shè)備。在實際生產(chǎn)單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質(zhì)量的關(guān)鍵作用。

由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產(chǎn)的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質(zhì)量等。

2、?氣相外延爐

氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實現(xiàn)在單晶上生長與單晶晶相具有對應(yīng)關(guān)系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。

氣相外延爐能夠為單晶沉底實現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備，氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系。

3、?氧化爐

硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學(xué)反應(yīng)，而在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術(shù)中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導(dǎo)體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計的氧化處理過程，是半導(dǎo)體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。

4、?磁控濺射臺

磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導(dǎo)體等材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。在硅晶圓生產(chǎn)過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

5、?化學(xué)機械拋光機

一種進行化學(xué)機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小，光刻技術(shù)對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應(yīng)用于64MB的DRAM生產(chǎn)中，1995年以后，CMP技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

化學(xué)機械研磨亦稱為化學(xué)機械拋光，其原理是化學(xué)腐蝕作用和機械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是目前機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導(dǎo)體）進行研磨拋光。

6、?光刻機

又名掩模對準(zhǔn)曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等，常用的光刻機是掩膜對準(zhǔn)光刻，一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

7、?離子注入機

它是高壓小型加速器中的一種，應(yīng)用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等 。

在進行硅生產(chǎn)工藝?yán)锩妫枰玫诫x子注入機對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜，離子注入機是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入是對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜的技術(shù)目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型，離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量角度和深度等方面進行精確的控制，克服了常規(guī)工藝的限制，降低了成本和功耗。

8、?引線鍵合機

它的主要作用是把半導(dǎo)體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導(dǎo)電金屬線（金絲）鏈接起來。引線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發(fā)生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現(xiàn)原子量級上的鍵合。

9、?晶圓劃片機

因為在制造硅晶圓的時候，往往是一整大片的晶圓，需要對它進行劃片和處理，這時候晶圓劃片機的價值就體現(xiàn)出了。之所以晶圓需要變換尺寸，是為了制作更復(fù)雜的集成電路。

10、?晶圓減薄機

在硅晶圓制造中，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求，因此在幾百道工藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。晶圓減薄，是在制作集成電路中的晶圓體減小尺寸，為了制作更復(fù)雜的集成電路。在集成電路封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝需要的裝備就是晶片減薄機。

當(dāng)然了，在實際的生產(chǎn)過程中，硅晶圓制造需要的設(shè)備遠遠不止這些。之所以光刻機的關(guān)注度超越了其它半導(dǎo)體設(shè)備，這是由于它的技術(shù)難度是最高的，目前僅有荷蘭和美國等少數(shù)國家擁有核心技術(shù)。近年來，國內(nèi)的企業(yè)不斷取得突破，在光刻機技術(shù)上也取得了不錯的成績，前不久，國產(chǎn)首臺超分辨光刻機被研制出來，一時間振奮了國人，隨著中國自主研發(fā)的技術(shù)不斷取得進步，未來中國自己生產(chǎn)的晶圓也將不斷問世。