一、芯片濕法清洗設備如何調試？

硫酸煮沸，無水乙醇寖泡，丙酮寖泡，清水噴淋，甩干.加溫軌道烘干。調轉速和時間和溫度。

二、半導體清洗設備全球排名？

全球清洗設備市場中，日系企業占據絕對的主導地位，迪恩士（DNS，SCREENSemiconductorSolutionsCo.,Ltd.）市場份額大約為60%、東京電子（TokyoElectron）大約為30%，其他企業如美國LamResearch、韓國SEMES和KCTECH等，后二者主要供給韓國市場。

三、什么是濕法設備？

濕法設備簡單來說，指芯片制造環節大概可以分為晶圓制造、曝光、刻蝕、清洗，濕法設備主要負責的就是“清洗”。

濕法制粒機用以將潮濕的粉料研制成所需的顆粒，也可將塊狀的干料粉碎到所需的顆粒。主要特點是篩網裝拆簡易，還可適當調節松緊。

四、干法清洗和濕法的區別？

(1)工藝不同

濕法化學清洗時間和化學溶劑對工藝靈敏，干法清洗工藝過程更容易控制。

(2)清洗次數及殘留不同

去除油污及氧化物等工藝時，濕法化學清洗需要進一步去除及處理或需要多次清洗，而干法清洗只要一次，基本無殘留物。

(3)對環境造成影響不同

濕法化學清洗后大量的廢物還要需要進一步處理，這樣也耗費更多的時間和人力，但是干法清洗反應副產物為氣體，在通過真空系統及中和器可直接排放到大氣中。

(4)毒性不同

混法化學清洗溶劑和酸有相當高的毒性，而干潔清洗反應所需氣體大多無毒，也不會對身體產生危害。

五、小麥清洗干法和濕法啥區別？

小麥清理就是利用小麥與雜質的外形特征、結構特性、物理性質等差異，采用響應的清理設備，最大限度的從小麥中將雜質分開，通過清理使黏附在自身表面和腹溝內的雜質以及外果皮和麥毛清理干凈，并在清理的同時，進行水分調節，使小麥的結構力學特性改變，保證各項指標達到入磨凈麥的要求。

　　小麥清理方法有干法和濕法兩種。干法清理是采用著水機著水，用水量較少，無排放水，清理工序較完善，適用于大型廠采用；濕法清理是采用洗麥機著水，用水量較大，有廢水排放，適用與中小型廠，清理流程較簡單的工藝

六、半導體設備說明？

1、?單晶爐

單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設備。在實際生產單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質量的關鍵作用。

由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內在質量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質量等。

2、?氣相外延爐

氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。

氣相外延爐能夠為單晶沉底實現功能化做基礎準備，氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。

3、?氧化爐

硅與含有氧化物質的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，而在硅片表面產生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。

4、?磁控濺射臺

磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導體等材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。在硅晶圓生產過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

5、?化學機械拋光機

一種進行化學機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻技術對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，IBM公司于1985年發展CMOS產品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產中，1995年以后，CMP技術得到了快速發展，大量應用于半導體產業。

化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光。

6、?光刻機

又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，常用的光刻機是掩膜對準光刻，一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

7、?離子注入機

它是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等 。

在進行硅生產工藝里面，需要用到離子注入機對半導體表面附近區域進行摻雜，離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型，離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量角度和深度等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，降低了成本和功耗。

8、?引線鍵合機

它的主要作用是把半導體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導電金屬線（金絲）鏈接起來。引線鍵合是一種使用細金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現原子量級上的鍵合。

9、?晶圓劃片機

因為在制造硅晶圓的時候，往往是一整大片的晶圓，需要對它進行劃片和處理，這時候晶圓劃片機的價值就體現出了。之所以晶圓需要變換尺寸，是為了制作更復雜的集成電路。

10、?晶圓減薄機

在硅晶圓制造中，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結構提出很高要求，因此在幾百道工藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。晶圓減薄，是在制作集成電路中的晶圓體減小尺寸，為了制作更復雜的集成電路。在集成電路封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝需要的裝備就是晶片減薄機。

當然了，在實際的生產過程中，硅晶圓制造需要的設備遠遠不止這些。之所以光刻機的關注度超越了其它半導體設備，這是由于它的技術難度是最高的，目前僅有荷蘭和美國等少數國家擁有核心技術。近年來，國內的企業不斷取得突破，在光刻機技術上也取得了不錯的成績，前不久，國產首臺超分辨光刻機被研制出來，一時間振奮了國人，隨著中國自主研發的技術不斷取得進步，未來中國自己生產的晶圓也將不斷問世。

七、半導體：半導體設備行業高景氣？

由于半導體設備制造公司看手頭訂單量的主要數據是存貨和預付款，而技術實力的增長主要是研發支出，所以本篇從這兩個方面進行分析

（一）存貨

由上述數據可見，目前北方華創的在手未發出訂單所產生的存貨一直是在穩定向上增長的，不過存貨上漲幅度有所減緩，而中微公司從2019年第四季度開始進入存貨負增長階段，而2020年一季報更是大幅度負增長

在這里還有另外一個問題，兩者2019年的存貨增長幅度均大幅低于預期，北方華創相比之下低于預期的幅度較低（低于預期20%），而中微公司的存貨就是大幅度低于預期了（低于預期37%），未來還是要看半年報的數據是否能夠支持中微公司的股價上行

（二）預收款

由于會計準則改變，以往的預收款在2020年一季度改成合同負債，中微公司從2019年起預收款由于產能受限，無大幅度預收款增長，而北方華創在2020年一季度預收款大幅增長，進入業務高速擴張期，多平臺業務全面開花

（三）研發投入

北方華創3年來研發投入一直維持大幅增長的勢頭，而中微公司在2019年研發投入僅小幅增長

上圖研發費用預期為2019年下半年的研發費用預期，北方華創研發費用增長大幅高于預期（高于預期31.25%），而中微僅小幅高于預期

北方華創在維持較高的研發資本化的情況下，研發費用仍然大幅度增長

在半導體設備行業高速發展的4年時間中，隨著兩家龍頭企業營收的不斷增長，研發投入占營收比必然是不斷在下降的，但是北方華創在2019年不僅研發投入占營收比沒有下降，還進一步的出現增長

總結：如果就這三個方面的數據而言，我必然更傾向于北方華創會在短期內優于中微公司，中微公司受限于產能無法在短期內取得營收的大幅度增長，但是北方華創在多次融資和項目的先發優勢下，已經進入了資本兌現的時期，高速發展不足以形容現在的北方華創，我個人更傾向于用中國半導體一個璀璨的明珠這句話來形容北方華創

八、濕法冶煉廠較為常見的設備？

常見設備有電解槽

1、用溶劑將原料中有用成分轉入溶液，即浸取。

2、浸取溶液與殘渣分離，同時將夾帶于殘渣中的冶金溶劑和金屬離子回收。

3、浸取溶液的凈化和富集，常用離子交換和溶劑萃取技術或其他化學沉淀方法。

4、從凈化液中提取金屬或化合物。

濕法冶金在鋅、鋁、銅、鈾等工業中占有重要地位，世界上全部的氧化鋁、氧化鈾，大部分鋅和部分銅都是用濕法生產的。

優點

1、對非常低品位礦石（金、鈾）的適用性，對相似金屬（鉿與鋯）難分離情況的適用性；

2、以及和火法冶金相比，材料的周轉比較簡單，原料中有價金屬綜合回收程度高，有利于環境保護，并且生產過程較易實現連續化和自動化。

九、什么是半導體設備？

半導體，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。 半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等

十、半導體設備控制原理？

半導體激光器通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時便產生受激發射作用。

半導體激光器的激勵方式主要有三種：

1、電注入式

電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。

2、電子束激勵式;

電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。

3、光泵浦激勵式;

光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。