一、廢氣處理系統(tǒng)安全設(shè)施有哪些？

可燃?xì)狻⒍練鈭?bào)警系統(tǒng)，自動(dòng)滅火系統(tǒng)，毒氣泄露防護(hù)處理系統(tǒng)，停電、停水，緊急停車處理預(yù)案措施等

二、廢氣排放口類型有哪些？

廢氣排放通過廢氣排放口排放，屬于“有組織排放”。對于點(diǎn)源的污染源，有利于污染的治理與管理。而廢氣排放口的類型，可以依據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同進(jìn)行分類。

1、廢氣排放口類型，可以分為：立式排放口和臥式排放口。

2、立式排放口分為風(fēng)帽型和引風(fēng)帽型；立式排放口適宜于多種方式的廢氣排放。

3、臥式排放口分為百葉動(dòng)力式、葉片聯(lián)動(dòng)式、孔板式。臥式排放口適宜于動(dòng)力方式的廢氣排放。

三、半導(dǎo)體晶粒類型有哪些？

半導(dǎo)體指的是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，常見的有硅、鍺、碳化硅、氮化鎵等，一般說半導(dǎo)體都是說半導(dǎo)體材料，三極管、二極管是半導(dǎo)體器件。

不管哪個(gè)，種類都挺多的，抽常見的說一下。

半導(dǎo)體材料，最基本的有三種類型：本征半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體。

本征半導(dǎo)體：材料完全純凈，不含雜質(zhì)，晶格完整，因?yàn)閮?nèi)部的共價(jià)鍵被本征激發(fā)（部分價(jià)帶中的電子越過禁帶進(jìn)入空帶，形成能在外部電場下自由移動(dòng)的電子和空穴）而導(dǎo)電。想要理解半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性就必須要有這么一個(gè)電子-空穴對的概念，簡單來講，電子導(dǎo)電就是自由電子（帶負(fù)電）的移動(dòng)，空穴導(dǎo)電就是共價(jià)鍵中的電子移動(dòng)到附近的空穴中，表現(xiàn)為空穴（帶正電）在移動(dòng)。

N型半導(dǎo)體：向本征半導(dǎo)體中摻雜一定量的磷等五價(jià)元素的雜質(zhì)（施主雜質(zhì)），由于原子最外層電子數(shù)比硅等材料要多，在形成共價(jià)鍵之后還會多余出一個(gè)電子，這個(gè)電子的激發(fā)能量遠(yuǎn)比價(jià)態(tài)的電子要低，所以N型半導(dǎo)體材料導(dǎo)電以自由電子為主（還是存在少量空穴），這個(gè)過程中材料仍為電中性。

四、半導(dǎo)體工藝廢氣包括哪些？

酸性氣體，堿性氣體，有機(jī)廢氣，有毒氣體。電子半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)時(shí)會使用顯影劑、光刻膠、清潔劑、蝕刻液等溶劑，而這些溶劑是含有大量的有機(jī)物成分。

　　工業(yè)上的有機(jī)廢氣處理常用的工藝有:活性炭吸附處理法、酸堿中和法、等離子法、直接燃燒法、催化燃燒法、吸收法、冷凝法等。

五、半導(dǎo)體水處理系統(tǒng)的組成？

主要是在直流電場的作用下,通過隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動(dòng),利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質(zhì)進(jìn)行提純的一種科學(xué)的水處理技術(shù)。

電滲析器的一對電極之間,通常由陰膜,陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列,構(gòu)成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜).淡室水中陽離子向負(fù)極遷移透過陽膜,被濃室中的陰膜截留；水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽膜截留,這樣通過淡室的水中離子數(shù)逐漸減少,成為淡水,而濃室的水中,由于濃室的陰陽離子不斷涌進(jìn),電介質(zhì)離子濃度不斷升高,而成為濃水,從而達(dá)到淡化,提純,濃縮或精制的目的。

六、可控半導(dǎo)體功率開關(guān)器件有哪些類型？

答:

可控半導(dǎo)體功率開關(guān)器件有場效應(yīng)管和可控硅等類型。

半導(dǎo)體開關(guān)指的是固態(tài)繼電器，分直流和交流兩種。直流固態(tài)繼電器采用的是場效應(yīng)管，交流固態(tài)繼電器采用的是可控硅。 由于固態(tài)繼電器的工作端和控制端都是制作在同一塊半導(dǎo)體材料上，沒有達(dá)到物理隔離，所以不能兼做隔離開關(guān)。 380v三相風(fēng)機(jī)的外殼應(yīng)該直接就地接保護(hù)地線，而不必通過PE線。

七、水處理系統(tǒng)有哪些？

直飲水、污水處理、廢水處理、循環(huán)水處理等

八、語言處理系統(tǒng)有哪些？

語言處理系統(tǒng)按照處理方法，語言處理系統(tǒng)可分為編譯型解釋型和混合型三類。

編譯型語言處理系統(tǒng)是采用編譯方法的語言處理系統(tǒng)。解釋型語言處理系統(tǒng)是采用解釋方法的語言處理系統(tǒng)。混合型語言處理系統(tǒng)是兼有編譯和解釋兩種方法的語言處理系統(tǒng)。

多數(shù)高級語言都有一些不能在編譯時(shí)刻確定而要到運(yùn)行時(shí)刻才能確定的特性。

九、工業(yè)廢氣有哪些，工業(yè)廢氣有哪些知識？

工業(yè)廢氣處理指的是專門針對工業(yè)場所如工廠、車間產(chǎn)生的廢氣在對外排放前進(jìn)行預(yù)處理，以達(dá)到國家廢氣對外排放的標(biāo)準(zhǔn)的工作。

一般工業(yè)廢氣處理包括了有機(jī)廢氣處理、粉塵廢氣處理、酸堿廢氣處理、異味廢氣處理和空氣殺菌消毒凈化等方面。工業(yè)廢氣處理氣體具體包括 丙酮 、 丁酮 、 丁醇 、 甲醇 、 甲醛 、 苯 、 甲苯 、 二甲苯 、 苯乙烯 、甲基叔丁基醚、 乙酸乙酯、次甲基氯、 乙烷 、戍烷、 天然氣 、 汽車尾氣 、 硫化氫 、 二硫化氫 、 硫醇 、 氨氣 和各種有機(jī)廢氣、酸堿廢氣。

工業(yè)廢氣處理的原理有活性炭吸附法、催化燃燒法、催化氧化法、酸堿中和法、生物洗滌、生物滴濾法、等離子法等多種原理。廢氣處理塔采用五重廢氣吸附過濾凈化系統(tǒng)，工業(yè)廢氣處理設(shè)計(jì)周密、層層凈化過濾廢氣，效果較好。現(xiàn)有主流的廢氣處理設(shè)備有噴淋塔、洗滌塔、活性炭塔、UV光氧等。

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十、半導(dǎo)體晶粒類型？

晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規(guī)則的、周期性的重復(fù)排列的，一種結(jié)構(gòu)貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶、硅單晶、巖鹽單晶等。多晶是由大量微小的單晶隨機(jī)堆砌成的整塊材料。實(shí)際的晶體絕大部分是多晶，如各種金屬材料和電子陶瓷材料。由于多晶中各晶粒排列的相對取 向各不相同，其宏觀性質(zhì)往往表現(xiàn)為各向同性，外形也不具有規(guī)則性。

半導(dǎo)體材料硅、鍺等都屬金剛石結(jié)構(gòu)。金剛石結(jié)構(gòu)可以看成是沿體對角線相互錯(cuò)開四分之一對角線長度的面心立方元胞套構(gòu)而成的。

晶面與晶向

晶體具有各向異性的特征，在研究晶體的物理特征時(shí)，通常必須標(biāo)明是位于什么方位的面上或沿晶體的什么方向，為此引入晶面與晶向的概念。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的晶向和晶面，國際上通用密勒指數(shù)來統(tǒng)一標(biāo)定晶向指數(shù)與晶面指數(shù)。

晶向指數(shù)

以晶胞的某一陣點(diǎn)O為原點(diǎn)，過原點(diǎn)O設(shè)定坐標(biāo)軸X、Y、Z，以晶胞點(diǎn)陣矢量的長度作為坐標(biāo)軸的長度單位；過原點(diǎn)O作一平行于待定晶向的直線，在該直線上選取距原點(diǎn)O最近的一個(gè)陣點(diǎn)，確定此點(diǎn)的3個(gè)坐標(biāo)值；將這3個(gè)坐標(biāo)值化為最小整數(shù)u，v，w，加以方括號。[u v w]即為待定晶向的晶向指數(shù)。

晶向指數(shù)代表所有相互平行、方向一致的晶向。

晶面指數(shù)

在點(diǎn)陣中設(shè)定參考坐標(biāo)系，設(shè)置方法與確定晶向指數(shù)時(shí)相同；選出晶面族中不經(jīng)過原點(diǎn)的晶面，確定該晶面在各坐標(biāo)軸上的截距；取各截距的倒數(shù)；將三倒數(shù)化為互質(zhì)的整數(shù)比，并加上圓括號，即表示該晶面的指數(shù)，記為( h k l )。

當(dāng)晶面的某一截距為負(fù)數(shù)時(shí)，在相應(yīng)的指數(shù)上部加“-”號。當(dāng)晶面與某一坐標(biāo)軸平行時(shí)，則認(rèn)為晶面與該軸的截距為∞，其倒數(shù)為0。

晶面指數(shù)所代表的不僅是某一晶面，而是代表所有相互平行的晶面。

晶體中的缺陷

按在空間的幾何構(gòu)型可將缺陷分為點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。

01

點(diǎn)缺陷

點(diǎn)缺陷是以晶體中空位、間隙原子、雜質(zhì)原子為中心，在一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)的微觀區(qū)域內(nèi)，晶格結(jié)構(gòu)偏離嚴(yán)格周期性而形成的畸變區(qū)域。

02

線缺陷

晶體內(nèi)部偏離周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的一維缺陷為線缺陷。晶體中最重要的一種線缺陷是位錯(cuò)。

03

面缺陷和體缺陷

對于晶體來講，還存在面缺陷（層錯(cuò)）和體缺陷（包裹體）等。由于堆積次序發(fā)生錯(cuò)亂形成的缺陷叫做堆垛層錯(cuò)，簡稱層錯(cuò)。層錯(cuò)是一種區(qū)域性的缺陷，在層錯(cuò)以外的原子都是有規(guī)則排列的，它是一種面缺陷。當(dāng)摻入晶體中的雜質(zhì)超過晶體的固溶度時(shí)，雜質(zhì)將在晶體中沉積，形成體缺陷。

晶體中的雜質(zhì)

實(shí)踐表明，極微量的雜質(zhì)和缺陷，能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響。

施主雜質(zhì)

向硅中摻入磷，磷原子占據(jù)了硅原子的位置，其結(jié)果是形成一個(gè)正電中心和一個(gè)多余的價(jià)電子。這種雜質(zhì)，我們稱它為施主雜質(zhì)或n型雜質(zhì)。

受主雜質(zhì)

向硅中摻入硼，硼原子占據(jù)了硅原子的位置，其結(jié)果是形成一個(gè)負(fù)電中心和一個(gè)多余的空位。這種雜質(zhì)，我們稱它為受主雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。

現(xiàn)今，300mm的wafer技術(shù)已經(jīng)成熟，隨著直徑的增大，其制造難度也相應(yīng)提高。

生長單晶硅

目前制備單晶硅的主要方法有柴氏拉晶法（即CZ法）和懸浮區(qū)熔法，85%以上的單晶硅是采用CZ法生長出來的。

單晶爐

單晶爐可分為四個(gè)部分：爐體、機(jī)械傳動(dòng)系統(tǒng)、加熱溫控系統(tǒng)以及氣體傳送系統(tǒng)。 爐體包括了爐腔、籽晶軸、石英坩堝、摻雜勺、籽晶罩、觀察窗幾個(gè)部分。爐腔是為了保證爐內(nèi)溫度均勻分布以及很好的散熱；籽晶軸的作用是帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)；摻雜勺內(nèi)放有需要摻入的雜質(zhì)；籽晶罩是為了保護(hù)籽晶不受污染。

機(jī)械傳動(dòng)系統(tǒng)主要是控制籽晶和坩堝的運(yùn)動(dòng)。為了保證Si溶液不被氧化，對爐內(nèi)的真空度要求很高，一般在5Torr以上，加入的惰性氣體純度需在99.9999%以上。