一、化學氣相沉積的階段？

化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應形成固態(tài)沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。最常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經化學反應，在基體表面形成覆層。

二、化學氣相沉積基本反應？

cvd1.硅烷分解成硅和氫氣 硅沉積

2.還原：四氯化硅和氫氣成硅和氯化氫3.氧化：硅烷加氧氣成二氧化硅沉積和氫氣4.等等.

三、化學氣相沉積的特點？

化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。 物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態(tài)有改變。物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。缺點膜一基結合力弱,鍍膜不耐磨, 并有方 向性化學雜質難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

四、化學氣相沉積適合什么反應？

化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學技術。半導體產業(yè)使用此技術來成長薄膜。

典型的CVD工藝是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發(fā)生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。

反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。

五、光分解屬于化學氣相沉積嗎？

光分解屬于化學氣相沉積，(CVD)是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。

六、cvd化學氣相沉積用哪些氣體？

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質在氣相或氣固界面上發(fā)生反應生成固態(tài)沉積物的過程

化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應形成固態(tài)沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。最常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經化學反應，在基體表面形成覆層。

七、有沒有化學氣相沉積的書？

《化學氣相沉積：從烴類氣體到固體碳》是一本于2008年4月14日科學出版社出版的圖書。本書主要講述了從烴類氣體到固體碳化學反應工程原理，不同沉積實驗條件下生成的固體碳的微觀結構同時也涉及到基元化學反應和沉積動力學最終影響材料性能的方式和機理。

八、物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區(qū)別？

物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有3點不同，相關介紹具體如下：

一、兩者的特點不同：

1、物理氣相沉積法的特點：物理氣相沉積法的沉積粒子能量可調節(jié)，反應活性高。通過等離子體或離子束介人，可以獲得所需的沉積粒子能量進行鍍膜，提高膜層質量。通過等離子體的非平衡過程提高反應活性。

2、化學氣相沉積法的特點：能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

二、兩者的實質不同：

1、物理氣相沉積法的實質：用物理的方法（如蒸發(fā)、濺射等）使鍍膜材料汽化，在基體表面沉積成膜的方法。

2、化學氣相沉積法的實質：利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質在氣相或氣固界面上發(fā)生反應生成固態(tài)沉積物的過程。

三、兩者的應用不同：

1、物理氣相沉積法的應用：物理氣相沉積技術已廣泛用于各行各業(yè)，許多技術已實現(xiàn)工業(yè)化生產。

2、化學氣相沉積法的應用：化學氣相沉積法的鍍膜產品涉及到許多實用領域。

九、化學氣相沉積需要用到的氣體？

化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法?；瘜W氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。

這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

十、化學氣相沉積生長二硫化鉬過程？

化學氣相沉積生長單層二硫化鉬的方法：

一種化學氣相沉積生長單層二硫化鉬的方法，該方法包括生長襯底實施植入種子的預處理，前驅體預處理，準備生長、生長、得到單層二硫化鉬單晶以及連續(xù)的二硫化鉬單層膜等步驟。該方法制備單層二硫化鉬具有樣品質量高、面積大以及重復性好等特點。