一、uop工藝技術

uop工藝就是丙烷脫氫工藝，液化石油氣加氫處理裝置、Butamer?C4異構化裝置以及生產高純度氫氣的PSA變壓吸附裝置

二、ipda工藝技術？

IPDI，異佛爾酮二異氰酸酯，是以丙酮為起點，經過IP（異佛爾酮）-IPN（異佛爾酮腈）-IPDA（異佛爾酮二胺），最終IPDA經過氣相光氣法工藝合成的脂肪族二異氰酸酯。

IPDI制備過程流程長，難度高，制備過程中需要用到氫氰酸、光氣等毒性氣體，過程控制復雜，技術門檻高。目前全球需求5-6萬噸。

三、ocp工藝技術？

OCP=Olefin Cracking Process,烯烴裂解過程 OCP烯烴裂解技術是 將較高級烯烴轉化為乙烯、丙烯等較低級烯烴的烯烴轉換技術。

其工藝 以烯烴的熱力學平衡為基礎，采用一種合適的催化劑(如改性的 ZSM-5 或其它類型的沸石)，把 C4 和 C5 等高碳烯烴轉換為低碳烯烴(主要為乙 烯、丙烯和丁烯)。

四、什么是工藝技術？

1、工藝技術是指一種能夠使人制作產品、實現服務目的的技術。2、它是指生產和服務業中的工藝方法、生產流程、設備和工具等方面的技術。3、通過良好的工藝技術，可以提高工作效率和產品質量，降低成本，提高經濟效益，實現企業可持續發展。

五、干餾裂解工藝技術？

干餾裂解工藝可有效的解決在無氧環境下通過有機物干餾裂解，實現將生物質中的有機物大分子裂解為小分子的“油”、“氣”、“炭”的目的。為了達到所述的目的本發明的技術方案是一種生物質干餾裂解處理裝置，包括輸入部分，反應釜部分，控制部分和處理輸出部分，其中所述的輸入部分由生物質料倉，物料提升機和錐狀結構的料斗組成，

六、csp工藝技術核心？

csp封裝又稱芯片級封裝，是led行業一種新型高集成式封裝方式。現有的封裝技術主要有點膠、model、壓膜等工藝。

這些csp封裝工藝有效地減小了芯片封裝的大小以及重量，并且在一定程度上提升了光通量、光效與出光的均勻性、一致性等。

七、工藝技術變更包括？

工藝技術變更主要包括：生產流程的變更、機器設備的變更、加工方法的變更、制程中輔助材料變更、每段工序使用工具的變更等。工藝技術是指工業產品的加工制造方法，包括從原料投入到產品包裝全過程的原料配方、工藝路線、工藝流程、工藝流程圖、工藝步驟、工藝指標、操作要點、工藝控制等。

八、裁剪工藝技術質量要求有哪些？裁剪工藝技術質？

1.掌握正確的開裁順序。即無橫斷后直斷、先外口后里口，先零小料后整大料，逐段取料。

2.凡衣片拐角處，應以角的兩邊不同進刀開裁，而不可以連續拐角裁，以保證精確裁剪。

3.裁剪時要保持剪刀垂直。

4.打剪口時定位要準，剪口不得超過3mm且清晰持久。

5.在裁剪之前要進行諸如鋪料、畫樣等準備工作。鋪料是按照所規定的鋪料層數及長度，將服裝材料按鋪料要求，鋪放在裁床上，以便畫樣及開裁。對伸縮性大的材料，鋪料后還需要放置數小時，使之應力回縮后再裁減。鋪料有其本身的工藝技術要求：

6.布面平整。鋪料時必須使每層材料的表面平整，不得有折皺、歪曲不平現象。否則衣片將變形，給縫紉工作帶來困難，并對服裝效果及質量產生不利的影響。

7.布邊對齊。鋪料時要求每層料布邊要對齊，不能有參差不齊現象，否則易造成短邊部位裁片尺碼規格變異，造成次片。布邊里口處一般要求較嚴格，要求上下整齊，差異不得超過2mm，因為里口部位將作為將來排料基準邊。另一邊保證自然平整即可。

8.張力均勻，并且盡量小。要想鋪料平整，必要時得施加一定的張力，該力必須均勻且盡量小，以防止內應力回縮不勻而起皺。

9.方向一致，符合要求。許多材料有明顯正反面或具有特殊的方向性，鋪料時為保證效果一致，材料應保持同一方向。

10.對正圖案。對于有條、格、花紋、圖案的材料，為保證或突出設計效果，在排板方案設計時，要求在鋪料過程中按照設計要求對正圖案。

九、維納制造工藝技術的內容？

微納制造技術是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件，以及由這些零件構成的部件或系統的設計、加工、組裝、集成與應用技術。

傳統“宏”機械制造技術已不能滿足這些“微”機械和“微”系統的高精度制造和裝配加工要求，必須研究和應用微納制造的技術與方法。微納制造技術是微傳感器、微執行器、微結構和功能微納系統制造的基本手段和重要基礎

十、熱浸鍍鋅的工藝技術？

①目前市場所流通的熱鍍鋁鋅有分環保與非環保，所謂環保就是無鉻鈍化工藝（通常材料牌號后綴+C5/CO5/N5）;

②熱鍍鋁鋅的表面相對于熱鍍純鋅的確有明顯的鋅花。也有細小鋅花的表面，相對大鋅花要美觀，但是價格也相對高一些；

③熱鍍鋁鋅的鹽霧試驗時間沒有絕對的要求，一般以72小時試驗時間為參考。