一、ic與uasb的區別？

ic是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應 IC 芯片生產線由晶圓生產線和封裝生產線兩部分組成。

UASB一般指上流式厭氧污泥床。 上流式厭氧污泥床又叫升流式厭氧污泥床、上流式厭氧污泥床反應器。是一種處理污水的厭氧生物方法。

二、12寸晶圓廠有污染嗎，我朋友想在周邊買房。

高壓線，沒有污染，輻射很小，而且沒有危險。高壓線周圍產生的負離子對空氣凈化和人體都有好處。晶圓廠的潔凈度要求很高的，所以粉塵污染也可以忽略不計。至于廢水污染問題，估計不會有的，國際級的企業，是不可能的。

放心買吧，升值空間很大。

硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。我們會聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中，12寸晶圓有較高的產能。當然，生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。

晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達0.。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液內摻入一小粒的硅晶體晶種，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆小晶粒在熔融態的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經過研磨，拋光，切片后，即成為積體電路工廠的基本原料――硅晶圓片，這就是“晶圓”。

所以說,不會帶來什么危害.放心.

不要怕。就是有點水污染而已。

別聽那些說沒污染的。那時扯淡。

做這個東西時候需要用化學液體清洗的。你不信查下晶圓是怎么做的。要用到什么化學物質。所以盡量別住在工業區。

萬一你喝的水恰好是地下水那就..............

沒有污染的！

里面都是超凈間！

晶圓廠工人得癌的幾率比其他車間得都要高。 污染超級嚴重。但現在都有環保設施的。沒那么厲害。

三、晶圓減薄對瞬態熱阻的影響

降低熱阻。先進封裝中的晶圓數量主其功耗不斷增加，減薄晶圓可以有效降低熱阻，改善散熱效果。晶圓經過背面研磨減薄后，經由背面蒸鍍金屬，切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個方面實現很大的改善。

四、晶圓切割槽寬度標準

.本技術涉及半導體技術領域，更具體地，涉及一種晶圓、晶圓制備方法及晶圓切割方法。

背景技術：

2.在諸如三維存儲器等超薄芯片的封裝工藝中，為了盡量減少封裝中磨劃或切割工藝對芯片的機械強度的影響，通常會采用sdbg(stealth dicing before grinding，磨削前隱形切割)工藝，先通過隱形切割使晶圓按照切割道的方向裂開后，再對其進行背面磨削工藝，以在去除隱形切割工藝帶來的機械損傷的同時，得到預定厚度的芯片。然而，隨著三維存儲器中堆疊層數的增加，切割道中的超厚金屬結構使得晶圓在隱形切割后無法按照指定方向裂開，造成芯片出現裂片、崩邊或破損的現象。

3.為解決上述問題，常規的晶圓切割方法通常對晶圓進行多次激光處理，以在其正面形成深槽，便于在后續的隱形切割中，使晶圓按照指定方向裂開。但是，在晶圓正面形成深槽的處理通常會降低芯片的機械強度，并增加了晶圓切割的工藝成本，降低了其生成效率。

4.因而，如何在降低通過切割得到的芯片的裂片、崩邊或破損的風險的同時，減少切割工藝對芯片的機械強度的影響、提高晶圓切割的生產效率和產品良率是目前亟待解決的問題。

技術實現要素：

5.本技術提供了一種可至少部分解決相關技術中存在的上述問題的晶圓、晶圓制備方法及晶圓切割方法。

6.本技術一方面提供了一種晶圓，包括：半導體基底；多個芯片，設置于半導體基底上，其中芯片之間通過切割道間隔開；以及預設溝槽，設置于切割道，并沿切割道的方向延伸，其中，預設溝槽在垂直于半導體基底的第一方向的預定深度小于芯片在第一方向的高度。

7.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的預定深度為芯片高度的10％至50％。

8.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的寬度為切割道的寬度的5％至30％。

9.在本技術一個實施方式中，預設溝槽在第一方向的截面形狀為v形。

10.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的預定深度為5微米至10微米。

11.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的寬度為5微米至15微米。

12.在本技術一個實施方式中，所述芯片包括器件結構和器件結構的互連結構，其中器件結構包括有源器件和無源器件中的至少一種。

13.在本技術一個實施方式中，所述有源器件包括三維nand存儲器和三維nor存儲器中的至少一種。

14.本技術另一方面提供了一種晶圓制備方法，其中晶圓包括半導體基底以及設置于

半導體基底上的多個芯片，芯片之間通過切割道間隔開方法包括：在切割道中形成預設溝槽，其中預設溝槽沿切割道的方向延伸，并在垂直于半導體基底的第一方向的預定深度小于芯片在第一方向的高度。

15.在本技術一個實施方式中，采用激光切割工藝在切割道中的預定區域形成預設溝槽。

16.在本技術一個實施方式中，采用包括紫外激光束或紫光激光束中的至少之一的激光切割工藝在切割道中的預定區域形成預設溝槽。

17.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的預定深度為芯片高度的10％至50％。

18.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的寬度為切割道的寬度的5％至30％。

19.在本技術一個實施方式中，預設溝槽在第一方向的截面形狀為v形。

20.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的預定深度為5微米至10微米。

21.在本技術一個實施方式中，預設溝槽的寬度為5微米至15微米。

22.本技術另一方面提供了一種晶圓切割方法，包括：在本技術一方面提供的任一實施方式所述晶圓的、設置有芯片的正面粘貼減薄保護膜；對晶圓的、與正面相對的背面進行第一次減薄處理；采用對于半導體基底具有透過性的波長的激光束，從減薄后的背面，正對預設溝槽照射，以使晶圓沿著預設溝槽形成裂痕；對背面進行第二次減薄處理；以及沿裂痕將晶圓分為多個、獨立的子晶圓，其中每個子晶圓可包括至少一個所述芯片。

23.在本技術一個實施方式中，第一次減薄處理和第二次減薄處理均包括：研磨工藝和拋光工藝中的至少之一。

24.在本技術一個實施方式中，在沿裂痕將晶圓分為多個、獨立的子晶圓之后，方法還包括：在切割后的晶圓的背面粘貼劃片膜，并去除減薄保護膜；以及進行劃片膜的冷崩工藝，使得獨立的子晶圓之間的間距增大。

25.在本技術一個實施方式中，所述芯片包括器件結構和器件結構的互連結構，其中器件結構包括有源器件和無源器件中的至少一種。

26.在本技術一個實施方式中，所述有源器件包括三維nand存儲器和三維nor存儲器中的至少一種。

27.根據本技術至少一個實施方式提供的晶圓、晶圓制備方法及晶圓切割方法，通過在晶圓的切割道中形成預設溝槽，可在晶圓正面及其附近形成應力相對薄弱的位置，因而可使隱形切割形成的裂痕更趨向于在應力相對薄弱的位置延展，提高對具有較厚金屬層的晶圓中的芯片進行隱形切割的準確性，降低隱形切割中裂痕無序延展的風險，達到控制隱形切割裂痕的延展位置的效果，進而降低通過切割得到的芯片的裂片、崩邊或破損的風險。

28.進一步地，由于預設溝槽的深度小于芯片的厚度，因而本技術至少一個實施方式提供的晶圓、晶圓制備方法及晶圓切割方法在提高晶圓切割的生產效率和產品良率的同時，可減少諸如開槽或者切割工藝等對芯片的機械強度的影響。

附圖說明

29.通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例的詳細描述，本技術的其它特征、目的和優點將會變得更明顯。其中：

30.圖1a是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽的晶圓的俯視結構示意圖；

31.圖1b是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽的晶圓中局部區域a處的俯視結構放大示意圖；

32.圖2是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽的晶圓的局部區域的剖面示意圖；

33.圖3是常規晶圓切割工藝中激光開槽的工藝示意圖；

34.圖4是通過圖3所示的常規晶圓切割工藝所形成的芯片中出現熱損傷層的電鏡照片；

35.圖5是根據本技術一個實施方式的晶圓制備方法的流程圖；

36.圖6是根據本技術一個實施方式的晶圓切割方法的流程圖；

37.圖7是根據本技術一個實施方式的、在晶圓的設置有芯片的正面形成預設溝槽后的剖面示意圖；

38.圖8是根據本技術一個實施方式的、對晶圓執行磨削前隱形切割sdbg工藝的剖面示意圖；

39.圖9是根據本技術一個實施方式的在晶圓沿著預設溝槽形成裂痕后的剖面示意圖；以及

40.圖10是使用不同切割工藝分別切割晶圓得到的芯片的機械強度分布表。

具體實施方式

41.為了更好地理解本技術，將參考附圖對本技術的各個方面做出更詳細的說明。應理解，這些詳細說明只是對本技術的示例性實施方式的描述，而非以任何方式限制本技術的范圍。在說明書全文中，相同的附圖標號指代相同的元件。表述“和/或”包括相關聯的所列項目中的一個或多個的任何和全部組合。

42.應注意，在本說明書中，第一、第二、第三等的表述僅用于將一個特征與另一個特征區域分開來，而不表示對特征的任何限制，尤其不表示任何的先后順序。因此，在不背離本技術的教導的情況下，本技術中討論的第一方向也可被稱作第二方向，反之亦然。

43.在附圖中，為了便于說明，已稍微調整了部件的厚度、尺寸和形狀。附圖僅為示例而并非嚴格按比例繪制。如在本文中使用的，用語“大致”、“大約”以及類似的用語用作表近似的用語，而不用作表程度的用語，并且旨在說明將由本領域普通技術人員認識到的、測量值或計算值中的固有偏差。

44.還應理解的是，諸如“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”等表述在本說明書中是開放性而非封閉性的表述，其表示存在所陳述的特征、元件和/或部件，但不排除一個或多個其它特征、元件、部件和/或它們的組合的存在。此外，當諸如“...中的至少一個”的表述出現在所列特征的列表之后時，其修飾整列特征，而非僅僅修飾列表中的單獨元件。此外，當描述本技術的實施方式時，使用“可”表示“本技術的一個或多個實施方式”。并且，用語“示例性的”旨在指代示例或舉例說明。

45.除非另外限定，否則本文中使用的所有措辭(包括工程術語和科技術語)均具有與本技術所屬領域普通技術人員的通常理解相同的含義。還應理解的是，除非本技術中有明確的說明，否則在常用詞典中定義的詞語應被解釋為具有與它們在相關技術的上下文中的含義一致的含義，而不應以理想化或過于形式化的意義解釋。

46.需要說明的是，在不沖突的情況下，本技術中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。另外，除非明確限定或與上下文相矛盾，否則本技術所記載的方法中包含的具體步驟不必限于所記載的順序，而可以任意順序執行或并行地執行。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本技術。

47.此外，在本技術中當使用“連接”或“聯接”時可表示相應部件之間為直接的接觸或間接的接觸，除非有明確的其它限定或者能夠從上下文推導出的除外。

48.圖1a是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽130的晶圓10的俯視結構示意圖。圖1b是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽130的晶圓10中局部區域a處的俯視結構放大示意圖。圖2是根據本技術一個實施方式的設置有預設溝槽130的晶圓10的局部區域的剖面示意圖。

49.如圖1a、圖1b和圖2所示，本技術提供了一種晶圓10可包括：半導體基底12、芯片110和預設溝槽130，其中多個芯片110設置于半導體基底12上，多個芯片110彼此之間通過切割道120間隔開，預設溝槽130設置于切割道120中，并沿切割道120的方向延伸。預設溝槽130在垂直于半導體基底12的第一方向(z方向)的預定深度h小于芯片110在第一方向的高度h。

50.具體地，在本技術的一個實施方式中，晶圓10可例如為已經完成晶圓階段(例如，形成器件結構和器件結構的互連結構的階段)的加工工藝的晶圓。晶圓10可包括半導體基底12和半導體基底12上陣列排布的芯片110。芯片110可包括器件結構和器件結構的互連結構。器件結構可包括有源器件和無源器件中的至少一種。有源器件可例如包括mos器件、存儲器件或其他半導體器件，其中存儲器件可例如包括非易失性存儲器或隨機存儲器等。非易失性存儲器可例如包括三維nand存儲器和三維nor存儲器中的至少一種的浮柵場效應晶體管，或者鐵電存儲器、相變存儲器等。無源器件可例如包括電阻、電容或電感等，器件結構可以為平面型器件或立體器件，其中立體器件可例如為fin-fet(鰭式場效應晶體管)和三維存儲器等。

51.如圖1a和圖1b所示，在本技術的一個實施方式中，設置于半導體基底12上的芯片110可呈陣列排布。作為一種選擇，芯片110的陣列可例如呈行列排布，考慮到晶圓10通常為圓形，因此每行或每列上排布的芯片110的數量可能會有所不同。

52.多個芯片110彼此之間可形成切割道120。切割道120為半導體基底12上堆疊有介質材料的區域，該介質材料可例如為形成器件結構過程中沉積的介質材料。進一步地，該介質材料可例如包括覆蓋器件結構的第一介質層以及第一介質層之上的第二介質層，其中第二介質層可用于器件結構的互連結構的隔離。同樣地，切割道120可例如呈縱、橫排布，換言之，在芯片110陣列的行之間以及列之間都設置有切割道120。切割道120上并不用于形成實際的器件，切割道120主要用于晶圓10。

53.如圖1b所示，切割道120中形成有預設溝槽130。預設溝槽130與切割道120在平行于半導體基底12的平面中具有相同的延伸方向，換言之，預設溝槽130同樣可例如呈縱、橫排布，并沿著切割道120的方向延伸至晶圓10的邊緣。應當理解的是，本技術的實施方式中，預設溝槽130的排布可根據具體的晶圓切割方法確定，本技術對此不作限制。

54.在本技術的一個實施方式中，預設溝槽130的寬度可例如為預設溝槽130在垂直于切割道120的延伸方向的第二方向的兩端之間的距離。切割道120的寬度可例如為切割道

120在第二方向的兩端之間的距離。作為一種選擇，預設溝槽130的寬度可例如為切割槽120的寬度的5％至30％。此外，預設溝槽130的寬度還可例如為5微米至15微米。進一步地，還可根據晶圓的結構、制備晶圓所使用的材料以及具體的晶圓切割方法，選擇合適的預設溝槽的寬度，本技術對此不作限制。

55.通過將預設溝槽130在平行于半導體基底12的平面中的寬度限